被稱(chēng)為化學(xué)機(jī)械平面化(CMP) 的工藝通常用于半導(dǎo)體行業(yè)，將硅晶片拋光成可用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和其他計(jì)算機(jī)組件的產(chǎn)品。CMP拋光力控制是CMP工藝的重要組成部分。如果在整個(gè)拋光過(guò)程中施加的力不一致且不可重復(fù)，則晶圓會(huì)損壞——生產(chǎn)這些晶圓的過(guò)程非常昂貴。

半導(dǎo)體晶圓經(jīng)過(guò)研磨和拋光至鏡面光潔度。通常使用低摩擦力或無(wú)摩擦力的氣缸來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳的力控制。QPV2電子控制閥用于控制拋光滾筒上的力。滿(mǎn)量程校準(zhǔn)的 ±0.005% 的分辨率允許力的微小變化。滿(mǎn)量程 ±0.02% 的可重復(fù)性確保始終使用相同的命令信號(hào)產(chǎn)生相同的力。來(lái)自下游壓力的模擬監(jiān)測(cè)信號(hào)輸出在QPV2的主電氣連接器上可用，可用于持續(xù)數(shù)據(jù)采集。